Parameters of an Unique Condenson State in the Structure of the rm $In_4$ $Se_3$ Crystal

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Parameters of an Unique Condenson State in the Structure of the rm $In_4$ $Se_3$ Crystal
Autorzy:: Sznajder, M.
Lim, Y.
Glukhov, K.
Kharkhalis, L.
Bercha, D.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1410037.pdf
Data publikacji:: 2012-12
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.15.Mb
71.20.-b
71.20.Nr
71.38.-k
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2012, 122, 6; 1115-1117
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Based upon the ab initio band structure calculations results the dispersion law parameters of charge carriers of the orthorhombic $In_4$ $Se_3$ semiconductor as well as of its Sn- and Te-doped compounds were calculated. This allowed to estimate parameters of the electron condenson states in those compounds.

Informacja

Powiązane pozycje