$Fe_{1-x}Cr_xSnSbO_6$ solid solution shows semiconducting behaviour with the activation energy decreasing from $E_{A}$=0.64 eV for x=0.0 to $E_{A}$=0.32 eV for x=1.0 in the intrinsic conductivity temperature region as well as the n-type conduction at room temperature. The I-V characteristics and the conductance G at 300 and 400 K showed symmetrical and nonlinear behavior in the voltage range (-100, 100 V) suggesting the electron emission over the potential barrier especially for the boundary compounds FeSnSbO₆ and CrSnSbO₆. These effects are discussed in the context of the energy gap $E_{g}$>1.6 eV many times greater than the thermal energy kT.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00