Electronic transport in a graphene junction is considered theoretically. Graphene is assumed to be deposited on a substrate which generates Rashba spin-orbit coupling. However, the Rashba parameters in the two parts of the junction are assumed to be generally different. Additionally, different gate voltages are applied to the two parts, which allow tuning the Fermi level and potential step. We analyze the probabilities of electron transmission through the junction and electrical conductance in the linear response regime.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00