Termograficzne badania mikroskopowe elementów laserów półprzewodnikowych

Zaprojektowano i wykonano stanowisko pomiarowe do badań mikroskopowych defektów przypowierzchniowych metodą termografii w podczerwieni. Stanowisko umożliwia wykrywanie i identyfikowanie defektów z rozdzielczością przestrzenną 8 m i wykrywanie różnic temperatury o wartości 0,025K. Umożliwia badanie zmian temperatury z częstotliwością próbkowania do ponad 5 kHz. Na stanowisku wykonano badania elementów laserów półprzewodnikowych. Określono miejsca wydzielania ciepła i efektywność jego odprowadzania w tych elementach.

The stand for microscopic testing of near − surface defects, using the thermography method, has been designed and built. The stand makes possible detection and identification of defects with the 8 m special definition as well as detection of temperature differences of 0.025 K value. The stand makes possible testing temperature changes with sampling frequency up to 6 kHz. Testing of semiconductor laser elements have been tested there. The points of heat emission have been defined as well as the efficiency of carrying it away.