The behaviors of copper (Cu) precipitation along the radial direction of the 300 mm Czochralski grown silicon wafer have been investigated. It is found that the density of Cu precipitates decreases from the center to edge of the silicon wafer. Moreover, it is revealed that the density of grown-in oxygen precipitates also decreases along the radial direction as mentioned above. Therefore, it is apparent that the Cu precipitate density is positively correlative to the grown-in oxygen precipitate density. This is due to that the grown-in oxygen precipitates can serve as the heterogeneous nucleation centers for Cu precipitation. It is suggested that the Cu decoration in combination with preferential etching can be used to indirectly evaluate the radial distribution of grown-in oxygen precipitates in the silicon wafers.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00