Boron was partially substituted by phosphorus (3 at.%) in two Si-poor Fe-Nb-Cu-B-Si Finemets. Mostly non-significant changes were observed after vacuum annealing at 500°C, whereas equivalent Ar annealing resulted in significantly better soft-magnetic properties, which suffer from compressive surfaces stress. Possibly by hampering surface crystallization, the substitution eased the surfaces stress and reduced undesired off-axis anisotrophy at the cost of limiting the useful annealing temperature.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00