Characterisation of (100) GaSb Passivated Surface Using Next Generation 3D Digital Microscopy

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Characterisation of (100) GaSb Passivated Surface Using Next Generation 3D Digital Microscopy
Autorzy:: Papis-Polakowska, E.
Leonhardt, E.
Kaniewski, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1198429.pdf
Data publikacji:: 2014-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 07.60.Pb
64.75.Yz
81.65.Rv
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 1052-1055
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

(100) GaSb surface was modified by self-assembled superficial layer of organic molecules by wet chemical process. Hexadecanethiol (HDT) was the choice as modifier. The treated GaSb surface, whose quality affects the morphology of the resulting modified GaSb, was investigated by 3D digital microscopy. The structural study were carried out quickly, non-destructively and comprehensively with using the next generation 3D HIROX KH-8700 Digital Microscope.

Informacja

Powiązane pozycje