Suitable techniques for the growth of high-quality single-crystal diamond are needed in order to use single-crystal diamond in power devices. Because the ion plantation technique cannot be used for diamond doping, a drift layer and a conduction layer for a diamond power device were grown by chemical vapor deposition. An important challenge in this field is to reduce the dislocation density in the epitaxial layer. The dislocation density was found to increase during the chemical vapor deposition process. Because a defective surface is one cause of increased dislocation density, the use of a UV-polished substrate having no scratches due to mechanical polishing was investigated.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00