Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Observations of Overlapped Single Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diode

Tytuł:
Observations of Overlapped Single Shockley Stacking Faults in 4H-SiC PiN Diode
Autorzy:
Nakayama, K.
Hemmi, T.
Asano, K.
Miyazawa, T.
Tsuchida, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1197898.pdf
Data publikacji:
2014-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
81.05.Hd
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2014, 125, 4; 962-964
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In 4H-SiC PiN diodes, Shockley-type stacking faults expand from basal plane dislocations under conducting forward current. We report for the first time overlapped single Shockley-type stacking faults in a 4H-SiC PiN diode after forward conduction. In photoluminescence measurements, we observed not only an emission peak at 425 nm, which corresponds to the single Shockley-type stacking fault, but also one at 432 nm. In cross-sectional cathode luminescence images, emission lines at 425 nm and 432 nm merge and become straight. Transmission electron microscope images showed that the structure at the position with the 432 nm emission overlapped the single Shockley-type stacking faults.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies