Design and analysis of MOS based Magnetic Field Sensor

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Design and analysis of MOS based Magnetic Field Sensor
Autorzy:: Kumar, Rakesh
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1075557.pdf
Data publikacji:: 2019
Wydawca:: Przedsiębiorstwo Wydawnictw Naukowych Darwin / Scientific Publishing House DARWIN
Tematy:: CMOS Technology
Hall Effect
Lorentz force
MagFET device
Magnetic sensor
Źródło:: World Scientific News; 2019, 121; 42-47
2392-2192
Język:: angielski
Prawa:: CC BY-NC: Creative Commons Uznanie autorstwa - Użycie niekomercyjne 4.0
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Magnetic sensors are widely used in various applications such as consumer electronic products (mobile phones, laptops), biomedical applications (brain function mapping), navigation, vehicle detection, mineral prospecting, non-contact switching (keyboard), contactless temperature measurement, wireless sensor network etc. Sensitivity of MagFET devices towards magnetic field, depends on the shape, dimensions VGS, VDS. In this paper we have measured effect of Physical design of gate on sensitivity of MagFET.

Informacja

Powiązane pozycje