In this study, K_{β}/K_{α} X-ray intensity ratios of zinc in pure zinc, undoped ZnO thin film and boron and fluorine-doped ZnO thin films have been investigated. These samples have been excited by 59.5 keV γ-rays from a ^{241}Am annular radioactive source. K X-rays emitted by the samples have been counted using an Ultra-LEGe detector with a resolution of 150 eV at 5.9 keV. The K_{β}/K_{α} X-ray intensity ratios of the doped ZnO thin films have been compared with that of the undoped ZnO thin film. The deviations between the results can be explained by delocalization and/or charge transfer phenomena causing change in valence electronic configuration of zinc.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00