Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Examination of the change of the characteristic X-rays of the zinc in fluorine- and boron-doped ZnO thin films

Tytuł:
Examination of the change of the characteristic X-rays of the zinc in fluorine- and boron-doped ZnO thin films
Autorzy:
Söğüt, Ö.
Kerli, S.
Cengiz, E.
Apaydın, G.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1050909.pdf
Data publikacji:
2018-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
32.30.Rj
78.70.En
32.30.-r
32.80.Fb
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2018, 133, 5; 1124-1128
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this study, K_{β}/K_{α} X-ray intensity ratios of zinc in pure zinc, undoped ZnO thin film and boron and fluorine-doped ZnO thin films have been investigated. These samples have been excited by 59.5 keV γ-rays from a ^{241}Am annular radioactive source. K X-rays emitted by the samples have been counted using an Ultra-LEGe detector with a resolution of 150 eV at 5.9 keV. The K_{β}/K_{α} X-ray intensity ratios of the doped ZnO thin films have been compared with that of the undoped ZnO thin film. The deviations between the results can be explained by delocalization and/or charge transfer phenomena causing change in valence electronic configuration of zinc.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies