Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Effect of Rashba Spin-Orbit Coupling on the Spin Polarization of Holes in Two-Dimensional GaMnAs Magnetic Semiconductors

Tytuł:
Effect of Rashba Spin-Orbit Coupling on the Spin Polarization of Holes in Two-Dimensional GaMnAs Magnetic Semiconductors
Autorzy:
Stagraczyński, S.
Dugaev, V.
Berakdar, J.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1032428.pdf
Data publikacji:
2017-07
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
Magnetization
Rashba spin-orbit coupling
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 1; 189-192
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We consider the effect of the Rashba spin-orbital coupling in two-dimensional GaAs semiconductor heavily doped with Mn, on the spin polarization of holes. Due to the strong internal spin-orbit interaction in GaAs, the spin of a hole is not a good quantum number but the hole in some energy state has a certain mean value of spin, which can be strongly affected by the Rashba spin-orbital interaction related to the substrate for 2D material.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies