Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Analytical Threshold Voltage Model Considering Quantum Size Effects for Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors

Tytuł:
Analytical Threshold Voltage Model Considering Quantum Size Effects for Nanocrystalline Silicon Thin Film Transistors
Autorzy:
Remmouche, R.
Fates, R.
Bouridah, H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1030066.pdf
Data publikacji:
2017-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
68.55.J-
73.20.At
73.40.Ty
73.63.Bd
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2017, 132, 4; 1230-1233
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
This paper presents an analytical model calculating the threshold voltage in nanocrystalline silicon (nc-Si) thin film transistors by considering a granular morphology of silicon nanocrystallites forming the channel and using the two-dimensional the Poisson equation. The numerical calculations demonstrate that, according to the quantum size effects on both dielectric constant and band gap, the threshold voltage values are strongly related to the silicon crystallites structure. To justify the validity of our model suitable for implementation in circuit simulators such as SPICE, the simulation results obtained are compared with the available research data and they shows a satisfactory match, thus, demonstrating the validity of our model.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies