Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Quantum yield enhancement in AlGaN(n)

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Quantum yield enhancement in AlGaN(n)
Autorzy:: Małachowski, Michał J.
Powiązania:: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej 2000, nr 6, s. 31-43
Data publikacji:: 2000
Tematy:: Detektory promieniowania
Elektronika
Język:: polski
Dostawca treści:: Bibliografia CBW
: Artykuł

Zwiększenie wydajności kwantowej w zakresie UF detektora AlGaN(n)/GaN(p) w przypadku zależnej od położenia przerwy energetycznej.

Rys.; Bibliogr.; Abstr., Rez., streszcz.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Quantum yield enhancement in AlGaN(n)

Powiązane pozycje