Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Ultra-low-voltage LNA with high gain and low noise figure

Tytuł:
Ultra-low-voltage LNA with high gain and low noise figure
Autorzy:
Bastos, I.
Oliveira, L. B.
Oliveira, J. P.
Goes, J.
Silva, M. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/397785.pdf
Data publikacji:
2013
Wydawca:
Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:
LNA
CMOS
noise cancellation
redukcja szumów
Źródło:
International Journal of Microelectronics and Computer Science; 2013, 4, 3; 124-128
2080-8755
2353-9607
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
We present a balun LNA with noise and distortion cancellation using double feedforward. A common-gate and a common-source stage are combined, and their resistive loads are replaced by transistors biased close to saturation to allows low supply voltage, without gain degradation. The proposed feedforward boosts the LNA gain and reduces the noise figure (NF). Simulation results with a 130 nm CMOS technology show that the gain is up to 24 dB and the NF is below 3.2 dB. The total power dissipation is 2.25 mW, leading to an FoM of 6.4 mW-1 with 0.6 V supply.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies