Large increase in the emitted terahertz power was observed for p-InAs samples with the p-doping levels of approximately 10$\text{}^{16}$-10$\text{}^{17}$ cm$\text{}^{-3}$. This increase was explained by a large surface depletion layer and an electric-field-induced optical rectification effect in the layer. Terahertz fields radiated by the samples of all three investigated Cd$\text{}_{x}$Hg$\text{}_{1-x}$Te layers was of the same order of magnitude. No azimuthal angle dependence of the radiated signal was detected, which evidences that linear current surge effect is dominating over nonlinear optical rectification. Azimuthal angle and magnetic fields emission witness that it is caused by linear photo-Dember type processes.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00