Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy of Semiconductor Surfaces

Tytuł:
Low-Temperature Scanning Tunneling Spectroscopy of Semiconductor Surfaces
Autorzy:
Feenstra, R. M.
Meyer, G.
Moresco, F.
Rieder, K. H.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036889.pdf
Data publikacji:
2003
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.20.Hb
71.20.Nr
68.37.Ef
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 3-4; 205-216
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Low-temperature scanning tunneling spectroscopy measurements on semiconductor surface are described. We consider both surfaces which do not possess surface states within the bulk bandgap, such as GaAs(110), and surfaces which do have states within the gap, such as Ge(111) 2×1 and Ge(111)c(2×8). Band bending in the semiconductor due to the electric field in the vacuum penetrating the semiconductor is found to be a substantial effect in the former case. Transport limitations in the semiconductor give rise to additional voltage drops, which can be observed by making measurements over a wide range of tunnel current magnitudes.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies