Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Magnetotransport through Nanoconstriction in Ferromagnetic Semiconductor (Ga,Mn)As
Autorzy:: Figielski, T.
Wosiński, T.
Pelya, O.
Sadowski, J.
Morawski, A.
Mąkosa, A.
Dobrowolski, W.
Jagielski, J.
Wróbel, J.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/2035752.pdf
Data publikacji:: 2003-06
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.63.-b
75.60.-d
73.20.Fz
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2003, 103, 6; 525-531
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We studied narrow (submicron) constrictions in the layers of ferromagnetic semiconductor (Ga,Mn)As. We have demonstrated a contribution of the quantum localization effects to the magnetoresistance of the constricted samples. We have also found a negative contribution of a domain wall trapped in the constriction to the resistance, due presumably to the erasing of the localization effects by the domain wall.

Informacja

Powiązane pozycje