Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

X-Ray Absorption Studies of Ge Layers Buried in Silicon Crystal

Tytuł:
X-Ray Absorption Studies of Ge Layers Buried in Silicon Crystal
Autorzy:
Demchenko, I. N.
Ławniczak-Jabłońska, K.
Zhuravlev, K. S.
Piskorska, E.
Nikiforov, A. I.
Welter, E.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2030656.pdf
Data publikacji:
2002-05
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.80.Ey
78.70.Dm
81.05.Gc
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2002, 101, 5; 709-717
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Polarization-dependent X-ray absorption spectroscopy was used to study the local microstructure of Ge layers buried in silicon. The layers with thickness from 6 to 20 monolayers of Ge were grown by molecular beam epitaxy on Si substrate and were covered by Si (20 nm). To investigate the morphology of grown structures, X-ray absorption near edge structure and extended X-ray absorption fine structure analysis of the Ge K-edge was done. The performed qualitative analysis proves that X-ray absorption spectra are very sensitive to the local order in the formed structures and are sources of unique information about morphology of the buried Ge layers. Using these techniques we were able to observe the changes in atomic order around the Ge atoms in investigated buried layers and compare the formed atomic order with that in crystalline Ge. A substantial increase in intensity, broadening and chemical shift of the X-ray absorption near edge structure spectrum for 8 ML were observed. It can be related to the increase in density of electron states caused by increase in the localization of the states due to potential appearing at the Ge island boundaries and indicated the formation of quantum dots. The observed in-plane modulations of radial distribution and out-of-plane for different layers were discussed.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies