Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon
Autorzy:: Stallinga, P.
Nielsen, B. B.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1968423.pdf
Data publikacji:: 1997-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 76.30.Lh
76.70.Hb
76.30.-v
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 989-992
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

A careful analysis of the alleged electron paramagnetic resonance spectrum of VH$\text{}_{2}$ in silicon is made. The parameters of this spectrum coincide with those of the well-known excited state (S=1) spectrum of the oxygen vacancy defect. The conclusion is reached that they are one and the same.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Study of DI-Hydrogen-Monovacancy Defect in Silicon

Powiązane pozycje