The complexity of a-/c-axis oriented growth of YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{x}$ thin films is reviewed from the viewpoint of controlling a-axis preferred thin film growth. Perfectly c-axis in-plane-aligned a-axis oriented YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{x}$ thin films, or "pure" a-axis oriented films, can be grown on the (100) face of tetragonal K$\text{}_{2}$NiF$\text{}_{4}$-type substrates by template growth process. A new growth mechanism called atomic graphoepitaxy is presented as a growth model. Transmission electron microscopy reveals that the films on a (100) SrLaGaO$\text{}_{4}$ substrate consist of domains surrounded by anti-phase and stackingfault boundaries. This domain formation can be well explained by substrate surface irregularities inherent in the SrLaGaO$\text{}_{4}$ crystal. The formation of defects in microstructures in "pure" a-axis oriented YBa$\text{}_{2}$Cu$\text{}_{3}$O$\text{}_{x}$ thin films is also modeled based on our atomic graphoepitaxial growth model.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00