We present Hall effect and resistivity measurements as a function of pressure performed on MBE-grown Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Te (with x = 0.14) layer (1 μm) doped with bromine. The experimental data were analysed using positive and negative U model of the Br centres. We found that both models could reproduce the experimental points, but in the case of positive U model - only under assumption that the sample was completely uncompensated.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00