Surface Photovoltage in Photoemission Studies at Si/InP(110) Heterojunctions

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Surface Photovoltage in Photoemission Studies at Si/InP(110) Heterojunctions
Autorzy:: Adamowicz, B.
Ottaviani, C.
Quaresima, C.
Perfetti, P.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1933706.pdf
Data publikacji:: 1995-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.20.-r
73.20.At
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 4; 663-666
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We discuss the surface photovoltage effect observed in photoemission experiment performed at room (300 K) and low (120 K) temperatures on Si/InP(110) heterojunctions for a thin Si coverage on n- and p-doped InP substrates. The theoretical analysis of the surface photovoltage effect has been performed on the basis of thermionic and thermionic-field emission models of transport processes in Schottky barriers.

Informacja

Powiązane pozycje