The interband absorption of strained InGaAs/GaAs multiple quantum well was studied at room temperature for pressures up to 5.5 GPa. Three absorption lines were attributed to the excitonic transitions hh1-e1, lh1-e1 and hh2-e2. They were visible until pressure of about 5 GPa which is above the Γ-X crossover for this system. Pressure coefficients of the observed lines were compared with the literature data. The origin of broadening of the lines above Γ-X crossover is discussed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00