Porous layers of $A_3B_5$ compounds were formed on n-type wafers by electrochemical anodic etching. The morphology of nanostructured layers was studied by scanning electron microscopy and atomic force microscopy techniques. The optimal conditions of the formation of porous layers were determined by varying the composition of etching solution, current density and etching time. Large area $(1.5×1.5 cm^2)$ porous layers of uniform porosity were produced by anodization process of n-type $A_3B_5$ semiconductors,
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00