In the paper, the behavior of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures in a water solution of (KOH + HCl) with differing pH was studied. The influence of the electrolyte pH on channel pinch-off voltage was measured using impedance spectroscopy methods. It was observed that the change of the pH of electrolyte has a strong effect on the pinch-off voltage of AlGaN/GaN HEMT-type heterostructures independently of the concentration of other ions. In high-pH environment the so-called memory effect of heterostructures was revealed. Its possible origin was discussed. A general theory to explain all results was proposed.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00