Metody analizy szumu telegrafistów przyrządów półprzewodnikowych

Scharakteryzowano szum telegrafistów (Random Telegraph Signal - RTS), który może występować w szumie własnym przyrządów półprzewodnikowych, jako składowa niegaussowska. Podkreślono, że szum telegrafistów jest efektem defektów materiałów zastosowanych w produkcji przyrządów półprzewodnikowych lub nieprawidłowości procesu produkcyjnego. Przedstawiono metody identyfikacji wielopoziomowego szumu telegrafistów, na przykładzie przebiegów szumów własnych przyrządów półprzewodnikowych.

The Random Telegraph Signal noise which can occur in inherent noise of semiconductor devices as a non-Gaussian component is characterized. It was emphasized that the RTS noise is caused by defects of applied materials or manufacturing incorrectness. The methods of identification of multilevel RTS noise in an inherent noise of semiconductor devices are presented.