Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Influence of Defects Introduced by Irradiation with 4-9 MeV Helium Ions on Impedance of Silicon Diodes
Autorzy:: Poklonski, N.
Gorbachuk, N.
Nha, Vo
Shpakovski, S.
Filipenya, V.
Skuratov, V.
Kołtunowicz, T.
Kukharchyk, N.
Becker, H.
Wieck, A.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1402222.pdf
Data publikacji:: 2015-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Jv
61.80.Fe
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2015, 128, 5; 891-893
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

Silicon diodes irradiated with helium ions with energies of 4.1, 6.8 and 8.9 MeV are studied. It is shown that the mechanism determining the behaviour of frequency dependence of complex electric module and correspondingly the behavior of impedance of diodes irradiated with helium ions in the frequency region 3-200 kHz is a recharging of vacancy complexes localized in the space charge region.

Informacja

Powiązane pozycje