Enhancement of silicon etching rate in $XeF_2$ environment is considered by a proposed model, which includes processes of adsorption, activation, chemical reactions, relaxation, desorption, and sputtering. The enhancement of silicon etching rate is explained by considering hydrocarbon molecules from background gas contamination in the vacuum chamber, and assuming that hydrocarbon radicals enhance the etching rate. The composition of the adsorbed layer during silicon etching in $XeF_2$ environment is calculated. It is found that hydrocarbon radicals intensify reaction of $XeF_2$ molecules with Si atoms on the surface and that this changes the kinetics of the etching rate. Using the obtained theoretical results the difference in kinetics of the etching rates of first and subsequent run is explained.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00