Electrical Characteristics and Temperature Dependence of Photovoltaic Parameters of GaInAsSb Based TPV Diode

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electrical Characteristics and Temperature Dependence of Photovoltaic Parameters of GaInAsSb Based TPV Diode
Autorzy:: Kucur, B.
Ahmetoglu, M.
Andreev, I.
Kunitsyna, E.
Mikhailova, M.
Yakovlev, Y.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1398767.pdf
Data publikacji:: 2016-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.40.Lq
72.40.+w
85.60.-q
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2016, 129, 4; 767-769
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

In this paper, electrical characterization of low bandgap GaInAsSb based thermophotovoltaic (TPV) diodes were investigated, as well as the temperature dependence of photovoltaic parameters such as short circuit current $(I_{sc})$ and open circuit voltage $(V_{oc})$. Investigation of the dark current mechanisms of the structure was carried out at several temperatures. The effect of light intensity on current-voltage characteristics was also investigated.

Informacja

Powiązane pozycje