In This paper, electrochemical etching teqniques was using to formation of nano crystalline porous silicon layer on p-type Si substrates. Measurement of capacitance – voltage characteristics at various etching time and current densities were used for calculated built in voltage and type of heterojunction. The built in voltage values were decreased with increasing etching time and current densities for both anisotype Al/PS/p-Si/Al heterojunction. These characteristics are interpreted by assuming the abrupt heterojunction model. The effect of different etching time and current densities on electrical properties of PS have been investigated.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00