Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Silicon carbide based DC-DC converter – operating analysis

Tytuł:
Silicon carbide based DC-DC converter – operating analysis
Autorzy:
Niewiara, Ł.
Tarczewski, T.
Grzesiak, L. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/377549.pdf
Data publikacji:
2016
Wydawca:
Politechnika Poznańska. Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
Tematy:
DC\DC converter
SiC MOSFETS
high switching frequency
Źródło:
Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering; 2016, 88; 109-119
1897-0737
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this paper operating analysis of DC-DC converter is presented. Silicon Carbide based DC-DC converter is investigated. SiC power switches (i.e. MOSFETs and diodes) were used. Synchronous buck topology is applied for converter structure. The DC-DC converter mathematical model is also presented. The parameters of LC circuit were calculated using shown equations. Working conditions determine the values of output LC circuit (inductance and capacitance). The analysis of working conditions is presented for different switching frequencies. The size of passive components (LC) is compared for different operating points. Experimental tests results were presented. Waveforms of voltage and current signals were also shown.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies