Temperature gradient zone melting (TGZM) method was used to obtain bulk Si continuously for the efficient separation
and purification of primary Si from the Si-Al alloy in this work. The effects of alloy thickness, temperature gradient and holding
time in TGZM purification technology were investigated. Finally, the continuous growth of bulk Si without eutectic inclusions
was obtained. The results showed that the growth rate of bulk Si was independent of the liquid zone thickness. When the temperature
gradient was changed from 2.48 K/mm to 3.97 K/mm, the growth rate of bulk Si was enhanced from 7.9×10-5 mm/s to
2.47×10-4 mm/s, which was increased by about 3 times. The bulk Si could grow continuously and the growth rate was decreased
with the increase of holding time from 1 h to 5 h. Meanwhile, low refining temperature was beneficial to the removal of impurities.
With a precipitation temperature of 1460 K and a temperature gradient of 2.48 K/mm, the removal rates of Fe, P and B were
99.8%, 94.0% and 63.6%, respectively.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00