Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-Doped Quantum Wells

Tytuł:
Quantum Hall Ferromagnet in Magnetically-Doped Quantum Wells
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Jaroszyński, J.
Wróbel, J.
Karczewski, G.
Wojtowicz, T.
Papis, E.
Kamińska, E.
Piotrowska, A.
Popović, D.
Dietl, T.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/2036881.pdf
Data publikacji:
2003-08
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
73.43.Nq
72.25.Dc
73.61.Ga
75.50.Pp
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2003, 104, 2; 93-102
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The article reviews our recent studies on quantum Hall ferromagnetism in diluted magnetic semiconductors. We carried out magnetoresistance studies on modulation-doped, gated heterostructures of (Cd,Mn)Te/(Cd,Mg)Te:I. We put into evidence the formation of Ising quantum Hall ferromagnet with Curie temperature T$\text{}_{C}$ as high as 2 K. Quantum Hall ferromagnetism is manifested by anomalous magnetoresistance maxima. Moreover, magnitude of these spikes depends dramatically on the history of the sample, shows hysteresis when either magnetic field or gate voltage are swept, stretched-exponential time evolution characteristic of glassy systems, and strong Barkhausen noise. Our study suggests that these metastabilities stem from the slow dynamics of ferromagnetic domains.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies