Excitation of the intra-4f-shell luminescence near 1.5μm in silicon-rich silicon oxide is studied. Silicon-rich silicon oxide was produced by high dose implantation of Si$\text{}^{+}$ ions into SiO$\text{}_{2}$ layers grown on silicon. Erbium doping was also performed using implantation of Er^+ ions at an energy of 800 keV. An evidence is presented that transfer of energy from defects related to excess silicon in silica is the dominant mechanism of excitation of Er$\text{}^{3+}$ for optical pumping in the UV-blue wavelength range. Si-nanocrystals created by annealing at 1100ºC rather compete for excitation with erbium than transfer energy to Er$\text{}^{3+}$.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00