The influence of temperature and annealing on giant magnetoresistance of Si(100)/Cu(20 nm)/Py(2 nm)/(Cu(2 nm)/Py(2 nm))$\text{}_{100}$ multilayer (Py = Ni$\text{}_{83}$Fe$\text{}_{17}$) sputtered at room temperature in double face-to-face configuration is reported. It was found that giant magnetoresistance value, ΔR$\text{}_{GMR}$/R$\text{}_{sat}$ (where R$\text{}_{sat}$ is the resistance in saturation), monotonically decreases with increasing temperature (4.5% at 173 K to about 1% at 373 K). This results from the decrease in magnetic change of resistance, ΔR$\text{}_{GMR}$, and to the lesser extent from an increase in R$\text{}_{sat}$, though both of them are caused by the shortening of electrons mean free path. The observed almost linear decrease in giant magnetoresistance saturation field with increasing temperature is explained by temperature changes of magnetization profile. Vibrating sample magnetometer measurements revealed that the increase in temperature results in pronounced decrease in remnant to saturation magnetization ratio (M$\text{}_{r}$/M$\text{}_{s}$) suggesting that at low temperatures magnetic bridges between Py layers play an important role in magnetization process. It is shown that proper annealing, by an annihilation of bridges and/or lateral decoupling, leads to an increase in giant magnetoresistance ratio from 3.4% in as deposited state to 4.7%.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00