Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers

Tytuł:
Infrared Optical and X-Ray Determination of Parameters for MOVPE Grown InAs$\text{}_{1-x}$Sb$\text{}_{x}$ Epilayers
Autorzy:
Marszałek, B.
Zielińska-Rohozińska, E.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Witowski, A. M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968371.pdf
Data publikacji:
1997-11
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.20.-b
78.20.-e
78.30.-j
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 5; 919-922
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The experimental room-temperature transmission of metalorganic vapour phase epitaxy grown InAsSb epilayers is compared with calculations based on a Kane model of the band structure. The band structure parameters are found. The composition of the samples was determined by X-ray diffraction.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies