Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

FIR Magnetooptical Measurements on MOCVD Grown InAs

Tytuł:
FIR Magnetooptical Measurements on MOCVD Grown InAs
Autorzy:
Andrearczyk, T.
Karpierz, K.
Bożek, R.
Stępniewski, R.
Grynberg, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1968009.pdf
Data publikacji:
1997-10
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.30.-m
71.55.-i
72.40.+w
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1997, 92, 4; 699-703
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
In this paper we report results of magnetooptical measurements done on standard InAs MOCVD layers grown on GaAs. Extremely narrow lines (half-widths of the order of 20 mT) - narrower than found by other authors in high quality MBE InAs epilayers on GaAs - as well as the lines of typical half-widths have been found both in the photoconductivity spectra and in the transmission spectra. A detailed comparison with the theoretical dependence of shallow donor and Landau level energies on magnetic field leads to the conclusion that they originate from cyclotron resonance and impurity-shifted cyclotron resonance transitions in that material.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies