Plasma Edge Modification in Strongly Compensated Semiconductors

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Plasma Edge Modification in Strongly Compensated Semiconductors
Autorzy:: Szuszkiewicz, W.
Dybko, K.
Bardyszewski, W.
Julien, C.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1943840.pdf
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.30.+q
71.45.Gm
78.30.Fs
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 1995, 88, 5; 1048-1052
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We demonstrate that the electron-impurity interaction can modify the reflectivity in the vicinity of plasma minimum giving rise to a small dip on the plasma edge. Experimental spectra taken for Hg$\text{}_{1-x}$Co$\text{}_{x}$Se for x < 0.02 at various temperatures confirm this theoretical prediction. The position of the structure can be used to determine the plasma frequency in highly compensated materials at low temperatures.

Informacja

Powiązane pozycje