Photoluminescence study of undoped, doped GaN grown on (00.1), (11.0), (01.2)Al$\text{}_{2}$O$\text{}_{3}$ (100), (111)Si, and (00.1)6H-SiC substrates have been conducted. Strong bandedge emissions from all undoped samples and dopant-related emissions from doped samples were observed. Deep-level yellow emission centered around 2.2 eV was not observed from undoped GaN grown on 6H-SiC substrate, undoped GaN with optimum Ga source flow and doped GaN. The experiment data strongly suggest that Ga vacancies are the origin this deep-level emission.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00