Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Conductivity Near the Metal-to-Insulator Transition in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se:Sc

Tytuł:
Conductivity Near the Metal-to-Insulator Transition in Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se:Sc
Autorzy:
Głód, P.
Sawicki, M.
Lenard, A.
Dietl, T.
Plesiewicz, W.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1887158.pdf
Data publikacji:
1991-02
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
71.30.+h
71.55.Jv
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 1991, 79, 2-3; 389-392
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Earlier studies of transition metal impurities in II-VI compounds suggest that Sc acts as a resonant donor. We performed Hall effect and conductivity measurements of CdSe:Sc and Cd$\text{}_{0.95}$Mn$\text{}_{0.05}$Se:Sc. The results, particularly the critical concentration of the metal-to-insulator transition, turned out to be similar to those obtained previously for Cd$\text{}_{1-x}$Mn$\text{}_{x}$Se doped with hydrogenic-like impurities, such as In and Ga. Therefore, if the ground state of Sc impurity is indeed located above the bottom of the conduction band, our data demonstrate that the metal-to-insulator transition is primarily driven by the scattering, i.e. it corresponds to the Anderson localization.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies