Fabrication of a Ti₂AlN MAX phase for contact applications to GaN-based devices is reported. Sample characterisation was done by means of X-ray diffraction and secondary ion mass spectroscopy. Successful Ti₂AlN monocrystalline growth was observed on GaN and Al₂O₃ substrates by annealing sputter-deposited Ti, Al and TiN layers in Ar flow at 600°C. The phase was not seen to grow when the layers were deposited on Si (111) or when the first layer on the substrate was TiN. N-type GaN samples with Ti₂AlN layers showed ohmic behaviour with contact resistivities in the range 10¯⁴ Ωcm².
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00