Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Electrical Transport and Electronic Structure Calculation of Al-Ga Binary Alloys

Tytuł:
Electrical Transport and Electronic Structure Calculation of Al-Ga Binary Alloys
Autorzy:
Kumar, A.
Ojha, D.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1505365.pdf
Data publikacji:
2011-03
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
72.15.Cz
76.60.Cq
71.20.-b
71.22.+i
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2011, 119, 3; 408-415
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
The Harrison first principle pseudopotential technique based on the concept of orthogonalized plane waves has been used to study the liquid electrical resistivity and other physical properties viz., Knight shift, Fermi energy and electronic density of states of liquid binary alloys of simple metals. We have also performed a first-principles calculation of the electronic band structure of Al-Ga binary alloy at equiatomic composition employing the full-potential linearized augmented plane wave method. Total energy minimization enables us to estimate the equilibrium volume, bulk modulus and its pressure derivative. We have also described the total density of states and the partial density of states around the Fermi energy.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies