$Ni_2S_{2-x}$ thin films with x=0, 0.5, and 1 were prepared by chemical bath deposition technique. Amorphous structure was discovered by XRD for x=1, while α-Ni₇S₆ and NiS phases were discovered for x=0, and x=0.5 respectively. SEM graphs of the studied films have confirmed the XRD results. Optical band gap values increase from 0.845 to 0.912 eV, with increase of the composition x from 0 to 1. Activation energy values increase in the range from x=0 to x=0.5 and does not change for x=1.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00