Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Correlation Between Refractive Index and Electronegativity Difference for $A^{N}B^{8-N}$ Type Binary Semiconductors

Tytuł:
Correlation Between Refractive Index and Electronegativity Difference for $A^{N}B^{8-N}$ Type Binary Semiconductors
Autorzy:
Bahadur, A.
Mishra, M.
Powiązania:
https://bibliotekanauki.pl/articles/1400150.pdf
Data publikacji:
2013-04
Wydawca:
Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:
78.20.Ci
71.55.Eq
Źródło:
Acta Physica Polonica A; 2013, 123, 4; 737-740
0587-4246
1898-794X
Język:
angielski
Prawa:
Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:
Biblioteka Nauki
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
A simple correlation between the high-frequency refractive index and electronegativity difference has been established for large number of $A^{N}B^{8-N}$ type binary semiconductors. The proposed relation has been applied satisfactorily to evaluate the refractive index of binary semiconductors belonging to groups I-VII, II-VI, III-V and IV-VI. The estimated values of refractive index from present relation are utilized to calculate the electronic polarizability of compounds by applying the Lorentz-Lorentz formula. Our calculated values of refractive index and electronic polarizability are in good agreement with the values evaluated by earlier researchers.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies