Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ οn InP Substrate
Enhancement of Electron Mobility and Photoconductivity in Quantum Well $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ οn InP Substrate
Isomorphic $In_{0.52}Al_{0.48}As//In_{0.53}Ga_{0.47}As//In_{0.52}Al_{0.48}As$ quantum well structure on InP substrate were grown by molecular beam epitaxy. We investigated the electron transport properties and mobility enhancement in the structures by changing of doping level, the width d of quantum well $In_{0.53}Ga_{0.47}As$ or by illumination using light with λ = 668 nm. Persistent photoconductivity was observed in all samples due to spatial separation of carriers. We used the Shubnikov-de Haas effect to analyze subband electron concentration and mobility. The maximal mobility was observed for quantum well width d = 16 nm.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00