Octagonal Defects as the Source of Gap States in Graphene Semiconducting Structures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Octagonal Defects as the Source of Gap States in Graphene Semiconducting Structures
Autorzy:: Pelc, M.
Jaskólski, W.
Ayuela, A.
Chico, L.
Powiązania:: https://bibliotekanauki.pl/articles/1399079.pdf
Data publikacji:: 2013-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 73.22.Pr
61.72.Qq
Źródło:: Acta Physica Polonica A; 2013, 124, 5; 777-780
0587-4246
1898-794X
Język:: angielski
Prawa:: Wszystkie prawa zastrzeżone. Swoboda użytkownika ograniczona do ustawowego zakresu dozwolonego użytku
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki
: Artykuł

Przejdź do źródła

We study graphene nanoribbons and carbon nanotubes with divacancies, i.e., local defects composed of one octagon and a pair of pentagons. We show that the presence of divacancies leads to the appearance of gap states, which may act as acceptor or donor states. We explain the origin of those defect-localized states and prove that they are directly related to the zero-energy states of carbon ring forming the octagonal topological defect.

Informacja

Powiązane pozycje