We have investigated the correlation between deep-level photoluminescence and the density of small-angle grain boundaries in multicrystalline Si. A deep-level photoluminescence component around 0.87 eV, which we previously ascribed to oxygen precipitates, became lower and higher in the region with high and low density of small-angle grain boundaries, respectively. This can be explained by the differences in the availability of oxygen atoms around respective small-angle grain boundaries. We performed focused ion beam time-of-flight secondary ion mass spectroscopy on special points emitting extremely strong 0.87 eV emission, and detected a clustered area of $\text{}^16O¯$. This is strong evidence for the idea that the 0.87 eV band is due to oxygen precipitates.
Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies
Informacja
SZANOWNI CZYTELNICY!
UPRZEJMIE INFORMUJEMY, ŻE BIBLIOTEKA FUNKCJONUJE W NASTĘPUJĄCYCH GODZINACH:
Wypożyczalnia i Czytelnia Główna: poniedziałek – piątek od 9.00 do 19.00